职位描述：
负责6英寸GaN 衬底生长工艺的研发，能通过有效的手段降低GaN衬底的翘曲、位错、表面缺陷；同时开展GaN的N型及半绝缘型的工艺研发工作，满足不同客户的需求。
任职要求：
1、掌握一定的半导体材料理论基础，有2年以上半导体工作经验，如 (MOCVD、磁控溅射、PLD、HVPE等任一即可)；
2、从事过氮化镓(GaN)、 氮化铟(InN)、氮化铝(AIN)、碳化硅(SiC)以及氮化硅(SiN)等宽禁带半导体晶体生长动力学或器件研究的优先考虑，熟悉XRD、AFM或者霍尔测试的更佳；
3、能够使用英语进行阅读、书面和口头表达；责任感强。
专业要求：物理、化学、材料、半导体、光学、电子等相关专业
学历要求：硕士以上

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